2SD1207T-AE
- Modèle de produit:
- 2SD1207T-AE
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 50V 2A 3MP
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 34903 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 2SD1207T-AE.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-2SD1207T-AE |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 50mA, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | 3-MP |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Autres noms: | 2SD1207T-AE-ND 2SD1207T-AEOSTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 150MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 1W Through Hole 3-MP |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 100mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
| Numéro de pièce de base: | 2SD1207 |
| Email: | [email protected] |
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