2SC5706-P-E
2SC5706-P-E
Modèle de produit:
2SC5706-P-E
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
TRANS NPN 100V 5A
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
80387 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
2SC5706-P-E.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-2SC5706-P-E
État Original New
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Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:240mV @ 100mA, 2A
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TP
Séries:-
Puissance - Max:800mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement:-
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:400MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):5A
Email:[email protected]

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