2SA1680,T6F(J
- Modèle de produit:
- 2SA1680,T6F(J
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS PNP 2A 50V TO226-3
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 30039 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 2SA1680,T6F(J.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-2SA1680,T6F(J |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 50mA, 1A |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | TO-92MOD |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 900mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Autres noms: | 2SA1680T6F(J 2SA1680T6FJ |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 120 @ 100mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
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