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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2N3439U4
2N3439U4
Modèle de produit:
2N3439U4
Fabricant:
Microsemi
La description:
NPN TRANSISTOR
Statut RoHS:
RoHS non conforme
la quantité en dépôt:
38689 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
2N3439U4.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-2N3439U4
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 4mA, 50mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:U4
Séries:-
Statut RoHS:RoHS non-compliant
Puissance - Max:800mW
Package / Boîte:3-SMD, No Lead
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Surface Mount U4
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:40 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):2µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):1A
Email:[email protected]

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