2N2432UB
- Modèle de produit:
- 2N2432UB
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- BJTS
- la quantité en dépôt:
- 59078 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 2N2432UB.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-2N2432UB |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | UB |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 360mW |
| Package / Boîte: | 4-SMD, No Lead |
| Autres noms: | 2N2432UBMS |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 360mW Surface Mount UB |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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