1N5407
- Modèle de produit:
- 1N5407
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 30792 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1N5407.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-1N5407 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 3A |
| Tension - Ventilation: | DO-201AD |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Polarisation: | DO-201AD, Axial |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 1N5407 |
| Description élargie: | Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD |
| Configuration diode: | 5µA @ 800V |
| La description: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.2V @ 3A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 800V |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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