1N4007 TR
Modèle de produit:
1N4007 TR
Fabricant:
Central Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
48984 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
1N4007 TR.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-1N4007 TR
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1A
Tension - Ventilation:DO-41
Séries:-
État RoHS:Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:DO-204AL, DO-41, Axial
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:22 Weeks
Référence fabricant:1N4007 TR
Description élargie:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-41
Configuration diode:5µA @ 1000V
La description:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Courant - fuite, inverse à Vr:1.1V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):1000V (1kV)
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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