STGW80H65DFB-4
- Osa numero:
- STGW80H65DFB-4
- Valmistaja:
- STMicroelectronics
- Kuvaus:
- IGBT BIPO 650V 80A TO247
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 69839 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- STGW80H65DFB-4.pdf
esittely
We can supply STGW80H65DFB-4, use the request quote form to request STGW80H65DFB-4 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number STGW80H65DFB-4.The price and lead time for STGW80H65DFB-4 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# STGW80H65DFB-4.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-STGW80H65DFB-4 |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2V @ 15V, 80A |
| Testaa kunto: | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 84ns/280ns |
| Switching Energy: | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247-4L |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 85ns |
| Virta - Max: | 469W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-4 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 42 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 414nC |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 240A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 120A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STGW80H65DFB-4
Latest News
- Puolijohteen kaksoiskanavan korkean reunan kytkin tuo enemmän joustavuutta kapasiteetin kuormituksen aseman suunnittelulle
- ST Semiconductor käynnistää kolmannen sukupolven piikarbidituotteet sähköisten ajoneuvojen ja teollisten sovellusten tulevan kehityksen edistämiseksi.
- Johtava STM32-mikrokontrolleri puolijohdemarkkinoilla nopeuttaa langattoman tuotekehityksen