Sisäinen osanumero | RO-SI3447BDV-T1-GE3 |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 6-TSOP |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 6A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 1.1W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |