NRVBD640VCTT4G
- Osa numero:
- NRVBD640VCTT4G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 37014 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- NRVBD640VCTT4G.pdf
esittely
We can supply NRVBD640VCTT4G, use the request quote form to request NRVBD640VCTT4G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NRVBD640VCTT4G.The price and lead time for NRVBD640VCTT4G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NRVBD640VCTT4G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-NRVBD640VCTT4G |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 700mV @ 3A |
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 40V |
| Toimittaja Device Package: | DPAK |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | SWITCHMODE™ |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | NRVBD640CTT4G NRVBD640CTT4G-ND NRVBD640VCTT4G-ND NRVBD640VCTT4GOSTR |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -65°C ~ 175°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 5 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| diodi Tyyppi: | Schottky |
| diodikonfiguraatiolla: | 1 Pair Common Cathode |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 100µA @ 40V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode): | 3A |
| Perusosan osanumero: | MBRD640CT |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NRVBD640VCTT4G
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)