NCS20082DR2G
- Osa numero:
- NCS20082DR2G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- IC OP AMP RRIO 5.5V 8SOIC
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 81389 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- NCS20082DR2G.pdf
esittely
We can supply NCS20082DR2G, use the request quote form to request NCS20082DR2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NCS20082DR2G.The price and lead time for NCS20082DR2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NCS20082DR2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-NCS20082DR2G |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännitteen syöttö, Single / Dual (±): | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Jännite - Input Offset: | 500µV |
| Toimittaja Device Package: | 8-SOIC |
| Muutosnopeus: | 0.4 V/µs |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| lähtö Tyyppi: | Rail-to-Rail |
| Muut nimet: | NCS20082DR2GOSTR |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 125°C |
| Lukumäärä Circuits: | 2 |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain Kaistanleveys Tuote: | 1.2MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | General Purpose Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC |
| Nykyinen - Supply: | 48µA |
| Nykyinen - Tuotos / kanava: | 15mA |
| Nykyinen - Input Bias: | 1pA |
| vahvistin Tyyppi: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NCS20082DR2G
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)