Sisäinen osanumero | RO-MVSF2N02ELT1G |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Sarja: | - |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 1.25W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | MVSF2N02ELT1G-ND MVSF2N02ELT1GOSTR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.5nC @ 4V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |