MVDF2C03HDR2G
Osa numero:
MVDF2C03HDR2G
Valmistaja:
ON Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
84512 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
MVDF2C03HDR2G.pdf

esittely

We can supply MVDF2C03HDR2G, use the request quote form to request MVDF2C03HDR2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MVDF2C03HDR2G.The price and lead time for MVDF2C03HDR2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MVDF2C03HDR2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-MVDF2C03HDR2G
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Toimittaja Device Package:8-SOIC
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 3A, 10V
Virta - Max:2W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
FET tyyppi:N and P-Channel Complementary
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Yksityiskohtainen kuvaus:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.1A, 3A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit