KSC1008GBU
- Osa numero:
- KSC1008GBU
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS NPN 60V 0.7A TO-92
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 72689 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- KSC1008GBU.pdf
esittely
We can supply KSC1008GBU, use the request quote form to request KSC1008GBU pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number KSC1008GBU.The price and lead time for KSC1008GBU depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# KSC1008GBU.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-KSC1008GBU |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 50mA, 500mA |
| transistori tyyppi: | NPN |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 800mW |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | 50MHz |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 700mA 50MHz 800mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 50mA, 2V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 700mA |
| Perusosan osanumero: | KSC1008 |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat KSC1008GBU
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)