J112-D26Z
- Osa numero:
- J112-D26Z
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- JFET N-CH 35V 625MW TO92
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 45076 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- J112-D26Z.pdf
esittely
We can supply J112-D26Z, use the request quote form to request J112-D26Z pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number J112-D26Z.The price and lead time for J112-D26Z depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# J112-D26Z.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-J112-D26Z |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Cutoff (VGS off) @ Id: | 1V @ 1µA |
| Jännite - Breakdown (V (BR) GSS): | 35V |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| Resistance - RDS (On): | 50 Ohms |
| Virta - Max: | 625mW |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Muut nimet: | J112-D26ZCT J112_D26ZCT J112_D26ZCT-ND |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 7 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Nykyinen - Drain (IDSs) @ Vds (Vgs = 0): | 5mA @ 15V |
| Perusosan osanumero: | J112 |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat J112-D26Z
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)