Sisäinen osanumero | RO-IPP147N12N3GXKSA1 |
---|---|
Kunto | Original New |
Maa alkuperä | Contact us |
Alkuun Merkintä | email us |
Korvaus | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 61µA |
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO-220-3 |
Sarja: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 14.7 mOhm @ 56A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 107W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | IPP147N12N3 G IPP147N12N3 G-ND IPP147N12N3G SP000652742 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3220pF @ 60V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 120V |
Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 120V 56A (Ta) 107W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 56A (Ta) |
Email: | [email protected] |