HGTG11N120CN
- Osa numero:
- HGTG11N120CN
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- IGBT 1200V 43A 298W TO247
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 42023 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- HGTG11N120CN.pdf
esittely
We can supply HGTG11N120CN, use the request quote form to request HGTG11N120CN pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HGTG11N120CN.The price and lead time for HGTG11N120CN depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HGTG11N120CN.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-HGTG11N120CN |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 11A |
| Testaa kunto: | 960V, 11A, 10 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 23ns/180ns |
| Switching Energy: | 400µJ (on), 1.3mJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 298W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | NPT |
| Gate Charge: | 100nC |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 80A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 43A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat HGTG11N120CN
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)