HGT1S20N36G3VL
- Osa numero:
- HGT1S20N36G3VL
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 86974 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- HGT1S20N36G3VL.pdf
esittely
We can supply HGT1S20N36G3VL, use the request quote form to request HGT1S20N36G3VL pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HGT1S20N36G3VL.The price and lead time for HGT1S20N36G3VL depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HGT1S20N36G3VL.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-HGT1S20N36G3VL |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 395V |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 1.9V @ 5V, 20A |
| Testaa kunto: | 300V, 10A, 25 Ohm, 5V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | -/15µs |
| Switching Energy: | - |
| Toimittaja Device Package: | I2PAK (TO-262) |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 150W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Syötetyyppi: | Logic |
| IGBT Tyyppi: | - |
| Gate Charge: | 28.7nC |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | IGBT 395V 37.7A 150W Through Hole I2PAK (TO-262) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 37.7A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat HGT1S20N36G3VL
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)