H11G2M_F132
- Osa numero:
- H11G2M_F132
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 39626 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- H11G2M_F132.pdf
esittely
We can supply H11G2M_F132, use the request quote form to request H11G2M_F132 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number H11G2M_F132.The price and lead time for H11G2M_F132 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# H11G2M_F132.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-H11G2M_F132 |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Voltage - lähtö (Max): | 80V |
| Jännite - Isolation: | 4170Vrms |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (tyyppi): | 1.3V |
| Vce Saturation (Max): | 1V |
| Kytke päälle / pois päältä (Typ): | 5µs, 100µs |
| Toimittaja Device Package: | 6-DIP |
| Sarja: | - |
| Rise / Fall Time (tyyppinen): | - |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| lähtö Tyyppi: | Darlington with Base |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 100°C |
| Kanavien lukumäärä: | 1 |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Syötetyyppi: | DC |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP |
| Nykyinen Transfer Ratio (Min): | 1000% @ 10mA |
| Nykyinen Transfer Ratio (Max): | - |
| Nykyinen - Tuotos / kanava: | - |
| Nykyinen - DC eteenpäin (jos) (maksimi): | 60mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat H11G2M_F132
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)