FQA13N50C-F109
- Osa numero:
- FQA13N50C-F109
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 500V 13.5A
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 70390 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- FQA13N50C-F109.pdf
esittely
We can supply FQA13N50C-F109, use the request quote form to request FQA13N50C-F109 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FQA13N50C-F109.The price and lead time for FQA13N50C-F109 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FQA13N50C-F109.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-FQA13N50C-F109 |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-3PN |
| Sarja: | QFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 480 mOhm @ 6.75A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 218W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Muut nimet: | FQA13N50C_F109 FQA13N50C_F109-ND FQA13N50CF109 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2055pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 56nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 500V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 13.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FQA13N50C-F109
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)