FQA11N90C
- Osa numero:
- FQA11N90C
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 78006 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- FQA11N90C.pdf
esittely
We can supply FQA11N90C, use the request quote form to request FQA11N90C pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FQA11N90C.The price and lead time for FQA11N90C depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FQA11N90C.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-FQA11N90C |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-3P |
| Sarja: | QFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Muut nimet: | FQA11N90CFS FQA11N90CFS-ND Q2658628A |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3290pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 900V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FQA11N90C
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)