FDR8702H
- Osa numero:
- FDR8702H
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 84090 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- FDR8702H.pdf
esittely
We can supply FDR8702H, use the request quote form to request FDR8702H pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDR8702H.The price and lead time for FDR8702H depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDR8702H.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-FDR8702H |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Toimittaja Device Package: | SuperSOT™-8 |
| Sarja: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Virta - Max: | 800mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SMD, Gull Wing |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3.6A, 2.6A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat FDR8702H
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)