BDX53B
- Osa numero:
- BDX53B
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB
- RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 69404 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- BDX53B.pdf
esittely
We can supply BDX53B, use the request quote form to request BDX53B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BDX53B.The price and lead time for BDX53B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BDX53B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-BDX53B |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 12mA, 3A |
| transistori tyyppi: | NPN - Darlington |
| Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 65W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 8A 65W Through Hole TO-220AB |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 750 @ 3A, 3V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500µA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 8A |
| Perusosan osanumero: | BDX53 |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BDX53B
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)