BC212LB_J35Z
- Osa numero:
- BC212LB_J35Z
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS PNP 50V 0.1A TO-9
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 86740 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- BC212LB_J35Z.pdf
esittely
We can supply BC212LB_J35Z, use the request quote form to request BC212LB_J35Z pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BC212LB_J35Z.The price and lead time for BC212LB_J35Z depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BC212LB_J35Z.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-BC212LB_J35Z |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 5mA, 100mA |
| transistori tyyppi: | PNP |
| Toimittaja Device Package: | TO-92-3 |
| Sarja: | - |
| Virta - Max: | 350mW |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 100mA 350mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 2mA, 5V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 15nA (ICBO) |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Perusosan osanumero: | BC212 |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat BC212LB_J35Z
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)