Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > APT28M120L
APT28M120L
APT28M120L
Osa numero:
APT28M120L
Valmistaja:
Microsemi
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Määrä varastossa:
56120 Pieces
Toimitusaika:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tuotantoaika:
4-8 weeks
Tietolomake:
APT28M120L.pdf
tiedustelu

esittely

We can supply APT28M120L, use the request quote form to request APT28M120L pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT28M120L.The price and lead time for APT28M120L depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT28M120L.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

tekniset tiedot

Sisäinen osanumero RO-APT28M120L
Kunto Original New
Maa alkuperä Contact us
Alkuun Merkintä email us
Korvaus See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-264 [L]
Sarja:POWER MOS 8™
RDS (Max) @ Id, Vgs:530 mOhm @ 14A, 10V
Tehonkulutus (Max):1135W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-264-3, TO-264AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila:Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:9670pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):1200V
Yksityiskohtainen kuvaus:N-Channel 1200V 29A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit

Aiheeseen liittyvät osat APT28M120L

Kuva Osa numero valmistajat Kuvaus näkymä
APT2X100D20J Image APT2X100D20J Microsemi DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP tiedustelu
APT26M100JCU3 Image APT26M100JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 tiedustelu
APT26F120B2 Image APT26F120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX tiedustelu
APT26M100JCU2 Image APT26M100JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 tiedustelu
APT2X100DQ100J Image APT2X100DQ100J Microsemi DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP tiedustelu
APT26F120L Image APT26F120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 tiedustelu
APT27HZTR-G1 Image APT27HZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 tiedustelu
APT27GA90BD15 Image APT27GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 48A 223W TO247 tiedustelu
APT29F100L Image APT29F100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 tiedustelu
APT28F60S Image APT28F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK tiedustelu
APT28M120B2 Image APT28M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX tiedustelu
APT27ZTR-G1 Image APT27ZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 tiedustelu
APT2X100D120J Image APT2X100D120J Microsemi DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP tiedustelu
APT2X100D30J Image APT2X100D30J Microsemi DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP tiedustelu
APT2X100D60J Image APT2X100D60J Microsemi DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP tiedustelu
APT2X100D100J Image APT2X100D100J Microsemi DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP tiedustelu
APT28F60B Image APT28F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 tiedustelu
APT29F100B2 Image APT29F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX tiedustelu
APT2X100D40J Image APT2X100D40J Microsemi DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP tiedustelu
APT29F80J Image APT29F80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 tiedustelu

Latest News