4N33M
- Osa numero:
- 4N33M
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Kuvaus:
- OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 34818 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- 4N33M.pdf
esittely
We can supply 4N33M, use the request quote form to request 4N33M pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 4N33M.The price and lead time for 4N33M depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 4N33M.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-4N33M |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Voltage - lähtö (Max): | 30V |
| Jännite - Isolation: | 4170Vrms |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (tyyppi): | 1.2V |
| Vce Saturation (Max): | 1V |
| Kytke päälle / pois päältä (Typ): | 5µs, 100µs (Max) |
| Toimittaja Device Package: | 6-DIP |
| Sarja: | - |
| Rise / Fall Time (tyyppinen): | - |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| lähtö Tyyppi: | Darlington with Base |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 100°C |
| Kanavien lukumäärä: | 1 |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 9 Weeks |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Syötetyyppi: | DC |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP |
| Nykyinen Transfer Ratio (Min): | 500% @ 10mA |
| Nykyinen Transfer Ratio (Max): | - |
| Nykyinen - Tuotos / kanava: | 150mA |
| Nykyinen - DC eteenpäin (jos) (maksimi): | 80mA |
| Perusosan osanumero: | 4N33 |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat 4N33M
Latest News
- Onsemi julkaisi maailman ensimmäisen tietullipakkauksen 650 V: n piikarbidi Mosfet
- ON Semiconductorin moottorikehityspaketti keskittyy ensin energiatehokkuuteen
- ON Semiconductor's silicon photomultiplier (SiPM) direct time-of-flight (dToF) lidar -alusta tarjoaa valmiita malleja teollisiin sovelluksiin
- ON Semiconductor ja Theta Power Systems International luovat kumppanuuden moottorinohjaussovelluksissa
- ON Semiconductor nimittää Hassane El-Khouryn seuraajajohtajaksi (toimitusjohtaja)