Diseñado para aplicaciones de aviónica IFF, IGN1011L120 es un transistor GaN de alta potencia, especificado para su uso en funcionamiento Clase AB.

Este transistor funciona a 1.03 - 1.09 GHz, y suministra un mínimo de 120W de potencia de pulso pico, a un voltaje de polarización de 50V y un factor de trabajo del 6.4%.

Ensamblada mediante tecnología de chip y alambre, utilizando metalización de oro, esta unidad está alojada en un paquete a base de metal y sellada con una tapa de cerámica y epoxi.

Este transistor probado con RF de alta potencia al 100% para nuevos diseños tiene 17 dB de ganancia y una eficiencia de drenaje del 75% en condiciones de pulso ELM Modo S: 48x (32us encendido, 18us apagado), 6.4% ciclo de trabajo.