UNR411100A
UNR411100A
Número de pieza:
UNR411100A
Fabricante:
Panasonic
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
87989 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
UNR411100A.pdf

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-UNR411100A
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:NS-B1
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:NS-B1
Otros nombres:UNR411100ATB
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:80MHz
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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