ULN2803APG,CN
- Número de pieza:
- ULN2803APG,CN
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 37780 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- ULN2803APG,CN.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-ULN2803APG,CN |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Tipo de transistor: | 8 NPN Darlington |
| Paquete del dispositivo: | 18-DIP |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 1.47W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Otros nombres: | ULN2803APG ULN2803APG(5,M) ULN2803APG(CNHZN) ULN2803APG(CNHZN)-ND ULN2803APG(O,M) ULN2803APG(O,N,HZA ULN2803APG(O,N,HZN ULN2803APG(OM) ULN2803APG(OM)-ND ULN2803APG(ONHZA ULN2803APG(ONHZA-ND ULN2803APG(ONHZN ULN2803APG(ONHZN-ND ULN2803APG-ND ULN2803APGCN ULN2803APGONHZN |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 350mA, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | - |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 500mA |
| Número de pieza base: | ULN280*A |
| Email: | [email protected] |
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