STI6N90K5
- Número de pieza:
- STI6N90K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descripción:
- N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
- Cantidad en inventario:
- 65099 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.STI6N90K5.pdf2.STI6N90K5.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-STI6N90K5 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I2PAK |
| Serie: | MDmesh™ K5 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 110W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Otros nombres: | 497-17075 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 42 Weeks |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 900V |
| Descripción detallada: | N-Channel 900V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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