STB8NM60D
- Número de pieza:
- STB8NM60D
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 69356 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- STB8NM60D.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-STB8NM60D |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | MDmesh™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1 Ohm @ 2.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 100W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | 497-5244-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción detallada: | N-Channel 600V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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