SSM6L36FE,LM
- Número de pieza:
- SSM6L36FE,LM
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 48757 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.SSM6L36FE,LM.pdf2.SSM6L36FE,LM.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SSM6L36FE,LM |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo: | ES6 (1.6x1.6) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | SSM6L36FE(TE85LF)CT SSM6L36FE(TE85LF)CT-ND SSM6L36FELMCT |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 46pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.23nC @ 4V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 500mA, 330mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 500mA, 330mA |
| Número de pieza base: | SSM6L36 |
| Email: | [email protected] |
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