SI4288DY-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI4288DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 81457 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI4288DY-T1-GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SI4288DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Voltaje - Prueba: | 580pF @ 20V |
| Tensión - Desglose: | 8-SO |
| VGS (th) (Max) @Id: | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Serie: | TrenchFET® |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 9.2A |
| Potencia - Max: | 3.1W |
| Polarización: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | SI4288DY-T1-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SI4288DY-T1-GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 15nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| Característica de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | Logic Level Gate |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 40V |
| Email: | [email protected] |
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