RFUS20TM6S
- Número de pieza:
- RFUS20TM6S
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 72645 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- RFUS20TM6S.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-RFUS20TM6S |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2.8V @ 20A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | TO-220NFM |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 35ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-220NFM |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 20A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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