R1WV6416RSD-5SI#S0
- Número de pieza:
- R1WV6416RSD-5SI#S0
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descripción:
- 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 54691 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- R1WV6416RSD-5SI#S0.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-R1WV6416RSD-5SI#S0 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 55ns |
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | SRAM |
| Paquete del dispositivo: | 52-TSOP II |
| Serie: | - |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) |
| Otros nombres: | R1WV6416RSD-5SI#S0CT |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SRAM Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 55ns 52-TSOP II |
| Tiempo de acceso: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
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