Número de parte interno | RO-R1LV0216BSB-7SI#B0 |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 70ns |
Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Tecnología: | SRAM |
Paquete del dispositivo: | 44-TSOP II |
Serie: | - |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 2Mb (128K x 16) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | SRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | SRAM Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 70ns 44-TSOP II |
Número de pieza base: | R1LV0216B |
Tiempo de acceso: | 70ns |
Email: | [email protected] |