PSMN8R5-100XSQ
- Número de pieza:
- PSMN8R5-100XSQ
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F
- Estado RoHS:
- Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 76063 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- PSMN8R5-100XSQ.pdf
Introducción
We can supply PSMN8R5-100XSQ, use the request quote form to request PSMN8R5-100XSQ pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PSMN8R5-100XSQ.The price and lead time for PSMN8R5-100XSQ depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PSMN8R5-100XSQ.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-PSMN8R5-100XSQ |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220F |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 55W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Otros nombres: | 568-10162-5 934067377127 PSMN8R5100XSQ |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5512pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción detallada: | N-Channel 100V 49A (Tj) 55W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 49A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PSMN8R5-100XSQ
Latest Noticias
- NXP se asocia con Amazon Web Services (AWS) para expandir las oportunidades comerciales en vehículos conectados
- NXP Semiconductors anuncia dividendo trimestral
- NXP Semiconductors and Jefferies demostrará la enseñanza del sistema de energía de RF 5G
- NXP extiende su posición de liderazgo en infraestructura 5G con módulos de múltiples chips de RF de segunda generación que aumentan la frecuencia, la potencia y la eficiencia
- NXP anunció un kit completo de solución de sensor de radar que puede envolver el vehículo en un capullo de seguridad de 360 grados