PHK4NQ20T,518
- Número de pieza:
- PHK4NQ20T,518
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 55912 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- PHK4NQ20T,518.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-PHK4NQ20T,518 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 130 mOhm @ 4A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 6.25W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | 934057303518 PHK4NQ20T /T3 PHK4NQ20T /T3-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 2 (1 Year) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1230pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción detallada: | N-Channel 200V 4A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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