PDTD123TS,126
- Número de pieza:
- PDTD123TS,126
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 73223 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- PDTD123TS,126.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-PDTD123TS,126 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | 934059726126 PDTD123TS AMO PDTD123TS AMO-ND |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 50mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 500mA |
| Número de pieza base: | PDTD123 |
| Email: | [email protected] |
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