NTD4909NA-35G
- Número de pieza:
- NTD4909NA-35G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 46660 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NTD4909NA-35G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-NTD4909NA-35G |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 250µA |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I-PAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1314pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.8A (Ta), 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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