Número de parte interno | RO-MT53B512M64D4NW-062 WT:D |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
Suministro de voltaje: | 1.1V |
Tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Serie: | - |
Otros nombres: | MT53B512M64D4NW-062 WT:D-ND MT53B512M64D4NW-062WT:D |
Temperatura de funcionamiento: | -30°C ~ 85°C (TC) |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 32Gb (512M x 64) |
Interfaz de memoria: | - |
Formato de memoria: | DRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz |
Frecuencia de reloj: | 1600MHz |
Email: | [email protected] |