Número de parte interno | RO-MT44K32M18RB-107E:B TR |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
Suministro de voltaje: | 1.28 V ~ 1.42 V |
Tecnología: | DRAM |
Paquete del dispositivo: | 168-BGA |
Serie: | - |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 168-TBGA |
Otros nombres: | MT44K32M18RB-107E:B TR-ND MT44K32M18RB-107E:BTR |
Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 576Mb (32M x 18) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | DRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 933MHz 8ns 168-BGA |
Frecuencia de reloj: | 933MHz |
Tiempo de acceso: | 8ns |
Email: | [email protected] |