MT41K512M8V80AWC1
- Número de pieza:
- MT41K512M8V80AWC1
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC DRAM 4G PARALLEL DIE
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 80871 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MT41K512M8V80AWC1.pdf
Introducción
We can supply MT41K512M8V80AWC1, use the request quote form to request MT41K512M8V80AWC1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MT41K512M8V80AWC1.The price and lead time for MT41K512M8V80AWC1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MT41K512M8V80AWC1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Especificaciones
| Número de parte interno | RO-MT41K512M8V80AWC1 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.283 V ~ 1.45 V |
| Tecnología: | SDRAM - DDR3L |
| Serie: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel |
| Email: | [email protected] |
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