Número de parte interno | RO-MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR |
---|---|
Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
Suministro de voltaje: | 2.5 V ~ 3.6 V |
Tecnología: | FLASH - NAND |
Serie: | - |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Otros nombres: | MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR-ND MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:ATR |
Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de memoria: | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria: | 512Gb (64G x 8) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | FLASH |
Estado sin plomo: | Lead free |
Descripción detallada: | FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 333MHz |
Frecuencia de reloj: | 333MHz |
Email: | [email protected] |