MMDF2C03HDR2G
- Número de pieza:
- MMDF2C03HDR2G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 60189 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MMDF2C03HDR2G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-MMDF2C03HDR2G |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 70 mOhm @ 3A, 10V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | MMDF2C03HDR2GOS MMDF2C03HDR2GOS-ND MMDF2C03HDR2GOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 630pF @ 24V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.1A, 3A |
| Número de pieza base: | MMDF2C03HD |
| Email: | [email protected] |
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