MBRT200200
- Número de pieza:
- MBRT200200
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 69866 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MBRT200200.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-MBRT200200 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Schottky |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1 Pair Common Cathode |
| Tensión - Desglose: | Three Tower |
| Velocidad: | 100A |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarización: | Three Tower |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MBRT200200 |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| configuración de diodo: | 1mA @ 200V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 920mV @ 100A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 200V |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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