LRI2K-SBN18/1GE
- Número de pieza:
- LRI2K-SBN18/1GE
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descripción:
- IC EEPROM MEMORY TAG WAFER
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 70976 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- LRI2K-SBN18/1GE.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-LRI2K-SBN18/1GE |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Memoria de escritura: | 2kb (User) |
| Tecnología: | Passive |
| Estilo: | Inlay |
| normas: | ISO 15693, ISO 18000-3 |
| Tamaño / Medidas: | 76.00mm x 45.00mm |
| Serie: | LRI2K |
| Temperatura de funcionamiento: | -20°C ~ 85°C |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria: | Read/Write |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia: | 13.56MHz |
| Descripción detallada: | RFID Tag Read/Write 2kb (User) Memory 13.56MHz ISO 15693, ISO 18000-3 Inlay |
| Email: | [email protected] |
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