JAN1N5550US
- Número de pieza:
- JAN1N5550US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
- Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad en inventario:
- 47286 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- JAN1N5550US.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-JAN1N5550US |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 3A |
| Tensión - Desglose: | D-5B |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | SQ-MELF, B |
| Otros nombres: | 1086-19411 1086-19411-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 2µs |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N5550US |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 200V 3A Surface Mount D-5B |
| configuración de diodo: | 1µA @ 200V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.2V @ 9A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 200V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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