IXTY01N100D
- Número de pieza:
- IXTY01N100D
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 31230 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- IXTY01N100D.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-IXTY01N100D |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-252, (D-Pak) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 110 Ohm @ 50mA, 0V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Depletion Mode |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1000V |
| Descripción detallada: | N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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