Número de parte interno | RO-IPI60R299CPXKSA1 |
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Condición | Original New |
País de origen | Contact us |
Marcado superior | email us |
Reemplazo | See datasheet |
VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 440µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO262-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 96W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Otros nombres: | IPI60R299CP IPI60R299CP-ND IPI60R299CPAKSA1 IPI60R299CPX IPI60R299CPXK SP000103249 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
Descripción detallada: | N-Channel 600V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |